Ученые Национального исследовательского университета «МИЭТ» начали разработку структур на основе материалов фазовой памяти, которые в совокупности с оптическими межсоединениями позволят создать в будущем оптическую память нового поколения.
Созданием оптической памяти нового поколения занимается молодой коллектив ученых под руководством доцента Института перспективных материалов и технологий Петра Лазаренко. Об этом говорится на ресурсе «Ридус» и подтверждено публикацией на странице Ассоциации выпускников института ВКонтакте.
Предварительные результаты экспериментов подтвердили возможность построения полностью оптической памяти: ученым удалось произвести запись и стирание информации в структурах на основе тонких пленок фазовой памяти с помощью фемтосекундных импульсов лазерного излучения.
Большинство современных устройств, в том числе и запоминающих, сейчас работают на электрических импульсах. Повышение их быстродействия поэтому ограничено, как и помехоустойчивость, а также радиационная стойкость.
Разработчики утверждают, что на создание прототипа энергонезависимой памяти потребуется три года.
– За это время нам предстоит отработать технологический маршрут формирования оптической памяти, разработать конструктивно-технологические решения, топологию и конструкторскую документацию, изготовить сам прототип и провести его испытания, – говорит доцент Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ Петр Лазаренко. Он также добавляет, что на создание полноценного чипа, который можно выпустить на рынок, потребуется еще несколько лет.